Hynix Semiconductor объявил о том, что Intel завершила проверку новой 40 нм DDR3 памяти, выполненной по 40 нм технологии.
Компонент DDR3 на 2 Гбит используется в модулях для ноутбуков DDR3 SODIMM на 4 Гб и в небуферизированных DDR3 UDIMM на 2 Гб, работающих на частоте 1333 МГц при напряжении 1.5 В. Продукт способен обеспечить максимальную скорость передачи данных на 1867 МГц с 16-битной шиной и пропускной способностью 3.7 Гб/с. Переход с 50 нм производства на 40 нм позволил Hynix увеличить выработку на 60%, а энергопотребление продукта снизилось на 40%. Все это как нельзя кстати придется, так как наиболее популярная емкость чипов памяти в высокопроизводительных серверах переходит с 1 Гбит на 2 Гбит.
Массовое производство чипов DDR3 на 2 Гбит уже началось. Hynix также ожидает завершение валидации RDIMM-продукции до конца года.