Память PRAM на фазовом переходе ожидалась еще в июне, но производство на фабриках Samsung было отложено на несколько месяцев. Но сейчас выпуск чипов в самом разгаре.

PRAM - это тип памяти, который хранит данный за счет изменения фазового состояния между кристаллическим и аморфным. Ожидаемое ускорение работы должно составить до 30 раз, а число циклом перезаписи увеличится, по крайней мере, в 10 раз по сравнению с флэш-памятью NOR и NAND.

Samsung изготовил первые 512 Мбит чипы PRAM по технологии 60 нм, которые способны стирать 64 килослова за 80 мс, что более чем в 10 раз быстрее, чем у NOR флэш-памяти. В сегментах данных по 5 Мб чип способен стирать и перезаписывать данные примерно в шесть раз быстрее NOR.

Вице-президент Samsung Сей-Джин Ким (Sei-Jin Kim) уверен, что PRAM внесет существенный вклад в повышение эффективности работы мобильных устройств, особенно в мультимедийные гаджеты и смартфоны, и ожидает, что память станет одним из ключевых продуктов компании в будущем.