Hynix Semiconductor анонсирует второе поколение 54 нм чипов DDR3 на 1 Гбит. Новые чипы предлагаются в организациях x4 (H5TQ1G43TFR) и x8 (H5TQ1G83TFR) с инновационным дизайном, обеспечивающим значительное снижение энергопотребления.

Новый продукт работает при напряжении 1.5 В и обеспечивает на 30% меньшую мощность по сравнению с существующими решениями. Данное второе поколение обладает наивысшим быстродействием с плотностью размещения информации 1 Гбит и принадлежит к мейнстримному сегменту. По данным исследовательской фирмы iSuppli, доля DDR3 на 1 Гбит составляет в настоящее время 87%. А чипы с более высокой емкостью станут массовыми после достижения доли 50%, которое прогнозируется на 2011 год.

Используемые во втором поколении памяти наработки будут применены в будущих чипах, включая DDR3 на 2 Гбит, выполненных по 40 нм техпроцессу. При этом массовое производство новой DDR3 на 1 Гбит началось уже в текущем месяце.