SanDisk анонсирует начало поставок флэш-карт на основе 43 нм NAND памяти на 64 Гбит производства Toshiba.

Современные технологии используют архитектуру с двумя битами на ячейку и, чаще всего, производственный процесс 50 нм. Для снижения себестоимости использовался более тонкий 43 нм техпроцесс и в два раза более эффективная архитектура с четырьмя битами на ячейку. Использование увеличенного количества бит на ячейку требует более высоких порогов уровней напряжения в ячейке. В итоге инженерам пришлось решить задачу повышения надежности, а увеличение емкости обещает снижение цен на флэш-накопители.

Потребители смогут все это ощутить в картах SanDisk SDHC и Memory Stick PRO Duo на 8 Гб и 16 Гб.